Diac DB3

Componente semiconductivo bidireccional utilizado en el disparo de triacs. Ideal para aplicaciones de control de potencia, como reguladores de luz, velocidad de motores y control de temperatura.

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Descripción

Tensión de disparo (VBO): 28-36 V.
Corriente de mantenimiento (IH): 50 µA.
Corriente máxima repetitiva (ITRM): 2 A.
Tensión de pico repetitiva inversa (VRRM): 200 V.
Capacitancia: 12 pF típica.
Temperatura de operación: -40°C a +125°C.
Construcción: Material semiconductor diseñado para operaciones en CA.
Aplicaciones comunes: Control de fase, disparo de triacs en reguladores de intensidad luminosa, control de velocidad de motores y otros dispositivos basados en triacs.
Montaje: Terminales de tipo axial para soldadura directa en PCB.