Descripción
“Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión de drenaje-fuente (Vds): 25 V.
Corriente máxima de drenaje (Id): 80 mA.
Tensión de puerta-fuente (Vgs): ±20 V (máximo).
Potencia máxima de disipación (Pd): 500 mW.
Ganancia de corriente (hFE): 20 a 200 (dependiendo de las condiciones de operación).
Frecuencia de transición (ft): 300 MHz.
Encapsulado: TO-92, compacto y adecuado para montaje en PCB.
Montaje: Terminales axiales para soldadura.
Aplicaciones comunes: Amplificadores de señal, osciladores de RF, circuitos de conmutación de baja potencia y dispositivos de control en electrónica.”