Descripción
“Tipo: Memoria de 4 bits de lectura/escritura con salida en tres estados (Tri-State).
Número de canales: 4.
Entradas:
A0 – A3 (Entradas de datos para los 4 bits).
WE (Write Enable, entrada de habilitación de escritura, activa en bajo).
OE (Output Enable, entrada de habilitación de salida, activa en bajo).
Salidas:
Y0 – Y3 (Salidas de los 4 bits, con salida en tres estados: alta impedancia, alto o bajo).
Modo de operación:
Escritura habilitada cuando WE está en bajo.
Lectura habilitada cuando OE está en bajo.
Alta impedancia cuando OE está en alto, lo que permite aislamiento de la salida.
Tensión de alimentación (Vcc): 4.75 V a 5.25 V (típico 5V).
Consumo de corriente (Icc): 40 mA (típico).
Tensión de entrada (Vin):
Alto (mín.): 2 V
Bajo (máx.): 0.8 V
Tensión de salida (Vout):
Alto (mín.): 2.7 V
Bajo (máx.): 0.5 V
Corriente de salida (Iol): 8 mA (cuando la salida es baja).
Tiempo de propagación (tpd): 15 ns (típico).
Encapsulado: DIP-16 (THT).
Montaje: A través de orificios (THT).
Aplicaciones comunes:
Almacenamiento temporal de datos en sistemas de procesamiento digital.
Buses de datos y control de señales.
Interfaz de comunicación entre dispositivos.
Registros de lectura/escritura en sistemas de control.”






