Descripción
“Tipo: Dos puertas NAND de 4 entradas con salida optimizada para líneas de 50 Ω.
Número de entradas: 4 por cada una de las 2 puertas NAND.
Número de salidas: 2 (una por cada puerta NAND).
Características eléctricas:
Salidas diseñadas para manejar líneas de transmisión de 50 Ω.
Alta velocidad de conmutación.
Mayor capacidad de corriente en la salida en comparación con puertas NAND estándar.
Tensión de alimentación (Vcc): 4.75 V a 5.25 V (típico 5V).
Consumo de corriente (Icc): 16 mA (típico).
Tensión de entrada (Vin):
Alto (mín.): 2 V
Bajo (máx.): 0.8 V
Tensión de salida (Vout):
Alto (mín.): 2.7 V
Bajo (máx.): 0.5 V
Corriente de salida (Iol): Mayor capacidad de corriente en comparación con puertas NAND convencionales.
Tiempo de propagación (tpd): 10-15 ns (típico, dependiendo de la carga).
Encapsulado: DIP-14 (THT).
Montaje: A través de orificios (THT).
Aplicaciones comunes:
Transmisión de señales digitales en líneas de 50 Ω.
Controladores de línea en sistemas de comunicación.
Aplicaciones de alta velocidad donde se requiera control de impedancia en la salida.”






