6N60

El transistor 6N60 es un MOSFET de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación en fuentes de alimentación y circuitos de alta eficiencia.

Descripción

  • Tipo: MOSFET de potencia
  • Canal: N
  • Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
  • Corriente de drenaje (ID): 6 A
  • Resistencia de encendido (RDS(on)): ≤ 1.2 Ω
  • Disipación de potencia (Pd): 45 W
  • Temperatura de operación: -55°C a 150°C