Descripción
- Tipo: MOSFET de potencia
- Canal: N
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
- Corriente de drenaje (ID): 6 A
- Resistencia de encendido (RDS(on)): ≤ 1.2 Ω
- Disipación de potencia (Pd): 45 W
- Temperatura de operación: -55°C a 150°C
El transistor 6N60 es un MOSFET de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación en fuentes de alimentación y circuitos de alta eficiencia.