Descripción
Tipo FET: canal P.
VGS(off): 0,75 a 6VDC.
V(BR)GSSMin: 40VDC.
gfsMin: 1mS
IDSSMin: -1mA.
Potencia máxima: 350mW.
Temperatura de trabajo: -65°C ~ 135°C (TJ).
Bs.4,00
El 2N5460 es un transistor JFET de canal P diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación de audio de bajo nivel y circuitos de propósito general que requieren fuentes de señal de alta impedancia.
Tipo FET: canal P.
VGS(off): 0,75 a 6VDC.
V(BR)GSSMin: 40VDC.
gfsMin: 1mS
IDSSMin: -1mA.
Potencia máxima: 350mW.
Temperatura de trabajo: -65°C ~ 135°C (TJ).