Descripción
“Tipo: Memoria RAM estática de 16 x 4 bits.
Capacidad de almacenamiento: 16 palabras de 4 bits cada una.
Modo de operación: Lectura y escritura de datos.
Número de direcciones: 4 bits (A0 – A3) para seleccionar 16 posiciones de memoria.
Número de entradas/salidas: 4 bits de datos (I/O0 – I/O3).
Entradas de control:
CS (Chip Select) – Habilita la memoria.
WE (Write Enable) – Controla la escritura de datos.
Tensión de alimentación (Vcc): 4.75 V a 5.25 V (típico 5V).
Consumo de corriente (Icc): 24 mA (típico).
Tensión de entrada (Vin):
Alto (mín.): 2 V
Bajo (máx.): 0.8 V
Tensión de salida (Vout):
Alto (mín.): 2.7 V
Bajo (máx.): 0.5 V
Tiempo de acceso (tpd): 40 ns (típico).
Encapsulado: DIP-16 (THT).
Montaje: A través de orificios (THT).
Aplicaciones comunes: Almacenamiento de datos en sistemas digitales, buffers de datos, unidades de control, y procesamiento de señales.”