Descripción
“Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión de drenaje-fuente (Vds): 40 V.
Corriente máxima de drenaje (Id): 0.1 A.
Tensión de puerta-fuente (Vgs): ±20 V (máximo).
Potencia máxima de disipación (Pd): 500 mW.
Ganancia de corriente (hFE): 150 a 400 (dependiendo de las condiciones de operación).
Frecuencia de transición (ft): 100 MHz.
Encapsulado: TO-92, compacto y adecuado para montaje en PCB.
Montaje: Terminales axiales para soldadura.
Aplicaciones comunes: Amplificadores de señal, circuitos de conmutación de baja potencia, amplificadores de audio, y dispositivos de conmutación de precisión.”






