IRF840

Descripción

“Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión de drenaje-fuente (Vds): 500 V.
Corriente máxima de drenaje (Id): 8 A.
Tensión de puerta-fuente (Vgs): ±20 V (máximo).
Rugosidad de drenaje (Rds(on)): 0.85 Ω (máximo a Vgs = 10 V).
Potencia máxima de disipación (Pd): 150 W (con disipador de calor).
Encapsulado: TO-220, diseñado para una eficiente disipación térmica.
Montaje: Terminales para soldadura en PCB y fijación en disipadores de calor.
Frecuencia de transición (ft): 20 MHz.
Aplicaciones comunes: Fuentes de alimentación, amplificadores de potencia, controladores de motores y circuitos de conmutación de alta eficiencia.”

ENLACES EXTERNOS

7.10 IRF840 – Datasheet